Растровий електроний мікроскоп мікроаналізатор
Фізико-технічний факультет.
Кафедра фізики металів та напівпровідників.
Модель: РЕММА-101А.
Країна виробник: Україна.
Дата випуску: 1995 рік.
Призначений для дослідження топографії поверхні органічних і неорганічних матеріалів у твердій фазі, проведення рентгенспектрального аналізу елементного складу об’єктів по довжинах хвиль та енергіям квантів характеристичного рентгенівського випромінювання.
Дозвільна здатність – 10 nm.
Діапазон зміни збільшення – 10-300000 крат.
Діапазон прискорювальної напруги – 0,2-40 kv.
Діапазон аналізованих елементів – від Na до U.
Методи растрової електронної мікроскопії становлять інтерес для материаловедов, хіміків, біологів, фізиків. Незамінні для фахівців в області мікроелектроніки.
Дифрактометр рентгенівський загального призначення (3 од.)
Фізико-технічний факультет.
Кафедра фізики металів та напівпровідників.
Модель: ДРОН-3М
Країна виробник: СРСР
Дата випуску: 1984 (модернізовано у 2005 році)
Короткий опис обладнання: Призначене для широкого кола рентгеноструктурних досліджень різних кристалічних зразків.
Технічні характеристики: Діапазон регулювання високої напруги – 2-60 кВ; діапазон регулювання струму анода рентгенівської трубки – 2-60 мА; діапазон кутів – 0-167°, 0-“–100°”; крок кутового переміщення детектора – не менше 0,005°; рентгенівські трубки – 2,0БСВ-24 (Cu), 1,6БСВ-24 (Ni); монохроматизація – Si кристал або піролітичний графіт; управління рухом та запис інтенсивності рентгенівського випромінювання на комп’ютері.
Галузі/напрямки дослідження, в яких може використовуватися обладнання: (а) вивчення кристалічної структури масивних зразків та різних покриттів (фазовий склад, середній розмір зерен, механічні напруження, текстура, орієнтування зерен, якісний фазовий аналіз); (б) вимірювання товщини та густини покриттів товщиною до 100 нм; (в) вивчення побудови та структури багатошарових покриттів; (г) вимірювання радіуса кривини тонких кристалічних платівок (r<50 м); (д) вимірювання шорсткості (середньоквадратичної) поверхні зразка; та інші.
Вакуумні технологічні установки для напилення покриттів методом магнетронного розпилення (5 од.)
Фізико-технічний факультет.
Кафедра фізики металів та напівпровідників.
Модель: Власні розробки на основі сумських ВУПів
Країна виробник: Україна
Дата випуску: 2005
Короткий опис обладнання: Призначені для осадження одношарових або багатошарових покриттів з 1-3 матеріалів на плоскі та криволінійний поверхні із загальною товщиною менше 0,1-2,0 мікрон з субнанометровою точністю контролю товщини.
Технічні характеристики: Базовий вакуум – (1-5)´10-6 Торр. Оснащення: щонайменше 2 постійно-струмних магнетрони. Швидкість осадження – 0,01-1,00 нм/с. Мішені: B4C, C, Mg, Al, Si, Sc, Ti, V, Cr, Fe, Co, Ni, Cu, Y, Zr, Mo, W; бориди, силіциди та карбіди перехідних металів. Загальна площа покриття – не більше 25 см2.
Галузі/напрямки дослідження, в яких може використовуватися обладнання: виготовлення шарів та покриттів, які покращують а) механічні властивості масивних об’єктів (міцність, мікротвердість, пружність, напруження, зносостійкість, тертя/ковзання, адгезію і ін.); б) магнітні властивості (тонкоплівкові здавачі, елементи оперативної пам’яті); в) електричні характеристики об’єкту (термо-ЕРС, питомий опір, термоопір і ін.); г) ступінь корозійного захисту; д) оптичні властивості (фотоелектронна емісія, флуоресценція, поглинання світу, відбиття, заломлення і ін.); та інші.
Рентгенівський дифрактометр ДРОН-3М
Країна виробник: СРСР
Дата випуску: 1986
Модернізований дифрактометр для фазового анализу матеріалів з межою визначення фаз 2-5%.
Чорна та кольорова металургія, медицина, криміналістика, екологія, ювелірне виробництво
Спектрометр рентгено-флуоресцентний «СПРУТ»
Країна виробник: Україна
Дата випуску: 2010
Рентгенофлуоресцентний спектрометр «СПРУТ» призначений для кількісного аналізу хімічних елементів від Mg до U в діапазоні концентрацій от 0,1 до 100% за стандартною методикою та до 0,001% за модернизованими методиками.
Чорна та кольорова металургія, медицина, криміналістика, екологія, ювелірне виробництво
Установка гідростатичного зважування ВМ-20
Країна виробник: СРСР
Дата випуску: 1961
Установка гідростатичного зважування на базі аналітичних вагів ВМ-20 дозволяє визначати густину матеріалів з точністю ±0,02 Г/см3
Чорна та кольорова металургія, медицина, криміналістика, екологія, ювелірне виробництво
Назва обладнання: спектрофотометр
Факультет: фізико-технічний
Кафедра: фізики металів та напівпровідників
Модель: СФ-26
Країна виробник: СРСР
Дата випуску: 1981
Короткий опис обладнання:
До комплекту входять: спектрофотометр СФ-26, чотири контрольних світлофільтри, дейтерієва лампа ДДС-30, лампа розжарювання ОП-33-0.3, приставка дзеркального відбиття ПЗО-2.
Спектрофотометр СФ-26 призначається для виміру коефіцієнта пропускання рідких та твердих речовин в області спектра від 186 до 1200 нм.
Технічні характеристики СФ-26:
- Спектральний діапазон, нм…..від 186 до 1200
- Відносний отвір монохроматора….. 1:11
- Діапазон показань шкали коефіцієнтів пропускання, % …..від 0 до 110%
- Розтяжка ділянок шкали коефіцієнтів пропускання на всю шкалу:
10 % – від будь-якого цілого числа десятків відсотків;
1 % – в області від 0 до 10%.
- Основна похибка вимірювань коефіцієнта пропускання в області спектра від 190 до 1200 нм, % абс., не більше …..1
- Джерело живлення – сеть 220±22 В, 50 Гц.
- Споживана потужність, В×А. …..170.
ПЗО-2 призначена для оцінки квадрата абсолютного і відносного коефіцієнтів дзеркального відбиття плоских поверхонь при куті падіння пучка на зразок, близькому до нормального.
Технічні характеристики ПЗО-2:
- Робочий спектральний діапазон, нм ……від 220 до 1200.
- Розміри вимірюваних зразків, мм …..від 25×25 до 50×50.
- Товщина вимірюваних зразків, мм, не більше ….7
Галузі/напрямки дослідження в яких може використовуватись обладнання:
Хімічна промисловість. Дослідження оптичних властивостей напівпровідникових матеріалів.
Назва обладнання: тепловізор FLUKE
Факультет: фізико-технічний
Кафедра: фізики металів та напівпровідників
Модель: Ti10
Країна виробник: США
Дата випуску: 8/1/2012
Короткий опис обладнання:
Тепловізор Ti10 є портативною камерою що передає зображення, яка використовується для діагностичного обслуговування, усунення несправностей устаткування і контролю. Тепловізор передає теплове і видиме зображення на дисплей з роздільною здатністю 640×480.
Технічні характеристики:
- Теплове і видиме зображення 640×480, зображення в режимі «Picture-in-Picture».
- Нижня межа температурного діапазону ….-20оС.
- Верхня межа температурного діапазону …+250оС.
- Точність ….. ±2оС
Галузі/напрямки дослідження в яких може використовуватись обладнання:
Дефектоскопія, визначення розподілу теплових полів в обладнанні та радіоелектронній апаратурі.
Назва обладнання: терморадіометр
Факультет: фізико-технічний
Кафедра: фізики металів та напівпровідників
Модель: ТРМ «И»
Країна виробник: СРСР
Дата випуску: 8.06.1989
Короткий опис обладнання:
Терморадіометр ТРМ «И» (індикатор) призначений для оцінки коефіцієнта випромінювання поверхонь великогабаритних виробів і лабораторних зразків по відношенню до зразків порівняння. Досліджувані поверхні повинні бути непрозорі в області спектральної чутливості терморадіометра.
Технічні характеристики:
- Область спектральної чутливості, мкм …від 4 до 40.
- Межі оцінки коефіцієнта випромінювання …від 0,03 до 0,99.
- Розбіжність показників на діапазоні «0-1» при повторних вимірах зразка при однакових умовах, дел., не більше …. 2.
- Частота модуляції теплового потоку, Гц….7±1.
- Приймач теплового потоку – болометр типу БМ6-Ц1 (БМ6-Ц2).
- Прилад візуалізації – мікроамперметр М907.
- Споживана потужність, В×А, не більше…..30.
- Температурний діапазон роботи, оС …..від 10 до 35
при відносній вологості повітря, %, не більше …..60.
Галузі/напрямки дослідження в яких може використовуватись обладнання:
Терморадіометр може бути використаний в машинобудівної та хімічної промисловості.
Назва обладнання: фотометр
Факультет: фізико-технічний
Кафедра: фізики металів та напівпровідників
Модель: ФМ-59
Країна виробник: СРСР
Дата випуску: 31.01.1964
Короткий опис обладнання:
Прилад призначений для визначення коефіцієнта поглинання As сонячної радіації непрозорими поверхнями. Визначення коефіцієнта As проводиться непрямим методом – на підставі вимірювання коефіцієнта відбиття випробуваної поверхні, тобто величини що доповнює коефіцієнт As до одиниці.
Технічні характеристики:
- Сумарний енергетичний коефіцієнт відбиття вимірюється в діапазоні від 0 до 0,9 (0 – 90%) за допомогою зразків порівняння.
- Коефіцієнт поглинання сонячної радіації As визначається для спектрального інтервалу довжин хвиль від 0,3 до 2,4 мкм в діапазоні від 1 до 0,1 (100 – 10%).
- Коефіцієнт відбиття вимірюється для ділянки поверхні діаметром 20 мм.
- При вимірах досліджувана поверхня висвітлюється під кутом 16о до її нормалі.
- Вимірювання проводяться на плоскій або випуклій (сферична, циліндрична, конічна) поверхні при найменшому радіусі кривизни r = 75 мм.
- Живлення від ланцюга змінного струму 127 або 220 В.
- Споживана потужність 100 вт.
- Робота з фотометром може проводитися як в лабораторних, так і в цехових умовах при відносній вологості повітря не більше 80% і температурі від + 15° до + 30°С.
Галузі/напрямки дослідження в яких може використовуватись обладнання:
Підготовка та атестація оптичних поверхонь.
Мікроскоп електронний просвічуючого типу
Фізико-технічний факультет.
Кафедра фізики металів та напівпровідників.
Модель: ПЕМ-125К.
Україна.
2008 рік випуску.
Призначений для дослідження кристалічної структури і фазового складу тонких кристалів.
Роздільна здатність по кристалічній решітці – 0,14 нм.
Діапазон електронно-оптичних збільшень – 50-1300000.
Діапазон прискорюючої напруги – 25-125 кВ.
Ефективна довжина дифракційної камери 80-3500 мм.
Методи просвічуючої електронної мікроскопії представляють інтерес для матеріалознавців, хіміків, біологів, фізиків. Незамінні для фахівців в області мікроелектроніки.